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SiHF6N40D
100
www.vishay.com
6
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
5
1
T J = 25 °C
4
3
2
0.1
1
V GS = 0 V
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
I DM = Limited
Limited by R D S (on) *
10
100 μ s
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
500
475
450
425
1
Operation in thi s Area
Limited by R D S (on)
T C = 25 °C
T J = 150 °C
1 m s
400
375
0.1
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
350
1
10 100 1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
S ingle Pul s e
0.01
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-0687-Rev. A, 02-Apr-12
4
Document Number: 91501
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